获嘉县河多网络传媒有限责任公司计时就是记忆的延迟，越低越好。记忆计时到底是什么意思？扩展数据:内存计时的影响因素:将内存计时转换为实际延迟时，最重要的是注意时钟周期，CPU_Z测内存计时的第五TRFC线周期时间是更好还是更小？当然，同频率的内存更小更好，但是不同频率的内存是不可比的。
1.ddr4内存时序参数3200 (16) 8g× 16，CL1616161.35V不错，默认DDR42133，1.2V。加载XMP可以直接把频率提高到DDR16362T，高频的电压是1.35V: 2.ddr4内存尽量不要动第一个定时。首先，它应该从调整第二个定时开始。一般来说，通过放大tRFC和tREF可以获得更高的频率。Ddr4内存不同于ddr4和ddr42内存。
计时就是记忆的延迟，越低越好。高频内存芯片的时序往往很难压下，所以高频低时序的内存一般比较贵。左边频率低，但时机好，右边频率高，但时机略差。综合表现来看，右边的更强。当然，同频率的内存更小更好，但是不同频率的内存是不可比的。购买当代存储器时，更重要的参数是频率。你太注重时间顺序，看别人怎么说。看看别人怎么说吧。2、cjr3600内存最佳时序
cjr3600内存最佳时机:3733的162020比3600的161818好。存储器时序是描述同步动态随机存储器(SDRAM)性能的四个参数:CL、TRCD、TRP和TRAS，单位是时钟周期。它们通常被写成由破折号分隔的四个数字，下面列出的16181836代表这个记忆的时间。(第四个参数经常被省略，有时会增加第五个参数:Commandrate，通常为2T或1T，也写作2N和1N。
TRFC的值属于第二个小参数，表示刷新间隔周期，单位为周期。数值越小越好。DDR3内存的值通常为90120。低于80，可能导致不稳定。CL、tRCD、tRP、tRAS称为第一时间序列，对粒子性质的影响最为明显和重要。首先，存储器时序(英文:memory timing或RAMtimings)是描述同步动态随机存储器(SDRAM)性能的四个参数:CL、TRCD、TRP和TRAS，单位是时钟周期。
对操作信号进行时间控制，称为时序控制。只有严格的时序控制才能保证所有功能部件组合成一个有机的计算机系统。扩展数据:内存计时的影响因素:将内存计时转换为实际延迟时，最重要的是注意时钟周期。如果不知道时钟周期的时间，就不可能知道一组数字是否比另一组快。比如DDR32000内存的时钟频率是1000MHz，它的时钟周期是1ns。
4、内存时序数字是大好还是小好内存计时的几个参数，数字越小越好。这实际上意味着延迟，数字越大，延迟越长，性能越差。希望我的回答对你有帮助，记忆序列越小，速度越快，但稳定性越差，时间序列越慢，但稳定性越好。记忆计时到底是什么意思？越大越好？还是越小越好。
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